学术预告

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二维半导体自旋电子器件研究

发布日期:2024-01-03   点击量:

报告人:王开友

单位:中国科学院半导体研究所

报告题目:二维半导体自旋电子器件研究

报告时间:2024年1月4日14:30~16:30

报告地点:知新楼C座1111会议室

邀请人:田玉峰

摘要:半导体自旋电子器件由于其非易失性及与现有半导体技术兼容的优点,在过去的几十年里,一直受到了人们的极大兴趣。然而,由于铁磁金属与半导体的电导不匹配,半导体中的自旋注入一直是一个巨大的挑战。二维范德华材料使我们能够制备原子级界面异质结,而不需要考虑晶格失配。我们发现磁阻的大小对异质结的载流子传输机制非常敏感,揭示了范德华金属/半导体中自旋效率注入低的物理根源[1,2],发现了磁电阻效应与中间层厚度及电压的依赖关系[3]。利用室温铁磁Fe3GaTe2,我们首次实现了85%的大室温磁阻半导体基磁性隧穿结[4]。另外,我们成功实现了对铁磁Fe3GeTe2和Fe3GaT2的电学调控 [5,6]。

报告人简介:王开友,研究员,博士生导师,国家杰出青年基金获得者,现任中国科学院半导体研究所学术委员会主任、半导体超晶格国家重点实验室主任,中国物理学会理事,半导体物理专业委员会主任和多个专业委员会委员,是国内外多个杂志编委,国际先进材料学会会士,2012年获得“国家杰出青年基金资助。2005年于英国诺丁汉大学天文物理学院获得哲学博士学位,曾在波兰科学院物理所、英国剑桥大学、丹麦玻尔研究所访问或工作,2009年通过中国科学院“百人计划”加入中国科学院半导体研究所,长期从事自旋电子学及半导体微纳器件方面的研究,取得了一系列有一定影响力的研究成果,迄今发表了包括Nature Materials, Nature Physics, Nature Electronics, Physical Review Letters 等在内的科技论文130多篇,引用7000多次,授权了16个国内外发明专利(含5个美国专利),并获得多个国内外奖励。





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